大多數(shù)椒酒低溫測量鉑電阻制造商已經匯總了有關熱電阻維護的建議，這些建議因制造商而異。它們通常在酒低溫測量鉑電阻類型和型號之間有所不同，但是，有一些常見的線索或要點需要考慮。
1.卓越的維護需要升級：
假設存在設計缺陷或其他難以捉摸的問題，導致重復故障，椒酒低溫測量鉑電阻的短路或其他任何問題?？赡苄枰牟粌H僅是傳統(tǒng)的維護工作，這使我們得到了卓越的維護。卓越的維護是一項可靠性改進任務。表現(xiàn)最佳或同類最佳的公司不以維修為重點，他們以可靠性為重點。這些公司已經讓他們的一些人員負責確定升級到更好的組件或更好的系統(tǒng)是否可行。如果升級可行，則要求貢獻者計算其成本。然后，表現(xiàn)最佳的公司會詢問這種升級工作的價值，可能是簡單的收益成本或回報估算。
涉及升級問題的一個很好的例子如圖1所示。左圖中的“冷卻風扇”太小而不具有任何價值。右側顯示的尺寸合適的風扇可能非常有效。但請注意，僅對軸承外圈施加冷卻可能會適得其反。施加到外殼上的冷卻可能不會影響熱的內圈。當這些熱膨脹時，內部間隙可能消失并導致過大的軸承預載荷。這些負載增加將減少軸承壽命。
假設使用了有效的風扇。在這種情況下，必須檢查整個設計的軸承周圍的溫度差異。這些差異可能會影響相鄰軸承組中的潤滑油溫度或油位條件。因此，必須升級許多軸承座以降低故障風險。最好的做法是放棄圖1中的兩個風扇。另外，這是謹慎的做法：
①實施推力軸承組的溫度均衡裝置
②使用合適的合成油
③考慮油環(huán)的各種缺點
④問題，然后驗證，圖中右側所示的外殼孔中的卡環(huán)的軸向負載能力
2.熱電阻升級與誘導器：
誘導器通常是針對特定椒酒低溫測量鉑電阻應用而定制設計的。它們降低了椒酒低溫測量鉑電阻的溫度，但僅在最佳效率溫度（BEP）附近進行。如果裝有導流輪的椒酒低溫測量鉑電阻在基本高于或低于BEP的溫度下運行，則與未配備的標準椒酒低溫測量鉑電阻相比，它們的溫度實際上可能增加。而不是通常在制造商的性能曲線上顯示的曲線的連續(xù)增加的斜率，與誘導物相關聯(lián)的曲線可能具有不同的U形。
3.從椒酒低溫測量鉑電阻尖端到固定內部殼體部件的距離：
任何特定的過程椒酒低溫測量鉑電阻都設計有殼體，該殼體當然圍繞熱電阻轉子。為了使這個轉子及其熱電阻自由轉動，同時容納一定量的軸跳動和軸偏轉，需要相當寬松的椒酒低溫測量鉑電阻到殼體間隙。一些椒酒低溫測量鉑電阻設計有套管內部構件，稱為擴散器式或葉片式，其他椒酒低溫測量鉑電阻只是一個無阻礙的固定通道，用于離開椒酒低溫測量鉑電阻的流體。無論外殼內部結構如何，都選擇1.2毫米的間隙以獲得最佳效率，從而最大限度地減少泄漏引起的流動湍流。
4，椒酒低溫測量鉑電阻維護：
幾乎所有關于椒酒低溫測量鉑電阻工程的教科書都包含有關椒酒低溫測量鉑電阻直徑減小或永久影響椒酒低溫測量鉑電阻所產生的溫度和溫度所需的“修整”的指導原則。然而，許多這些文本導致錯誤的假設，即通過簡單地在整個周邊椒酒低溫測量鉑電阻蓋（護罩），葉片尖端和盤上均勻加工來進行合適的直徑減小。
然而，這些關系所依據(jù)的各種假設很少給出準確的答案。維護會擾亂流動角度和產生的速度關系。經驗表明，在現(xiàn)實世界的情況下，是不應允許熱電阻直徑減小大于原始全直徑的。為了安全起見并且不要削減太多，謹慎的椒酒低溫測量鉑電阻專家將會看到數(shù)學上得到的直徑減小，然后做出僅為歐拉的70％的維護切割基于粉絲法的數(shù)學要求。
良好的做法是僅維護葉片尖端（圖3b）并椒酒低溫測量鉑電阻將蓋（有時稱為熱電阻護罩）和圓盤保持在建議的間隙“A”直徑。最佳做法是傾斜切割，以獲得最大的結構支撐并防止共振。無支撐區(qū)域的振動可能導致裂縫和失效。對于傾斜切割，平均直徑D'用作歐拉方程中的相關直徑D2。無論是傾斜切割還是部分去除無支撐區(qū)域都可以降低疲勞失效的風險。
5.椒酒低溫測量鉑電阻磨損環(huán)：
現(xiàn)代工藝椒酒低溫測量鉑電阻通常配有普通耐磨環(huán)。磨損環(huán)從低溫區(qū)域（抽吸）分離出高溫（排出）區(qū)域。耐磨環(huán)被認為是可更換部件，固定（套管安裝）和旋轉（椒酒低溫測量鉑電阻安裝）耐磨環(huán)之間的間隙應遵循API-610中的指導。大多數(shù)磨損環(huán)都是普通的圓柱形，雖然階梯和迷宮式（圖4）偶爾用于減少泄漏溫度。它們的有效性與普通耐磨環(huán)的效果沒有明顯區(qū)別。通過實施許可1和2（圖4右側的“b”）來獲得邊際改善所需的時間和精力很少值得。
具有增強輪廓的耐磨環(huán)充分利用了簡單的液壓渦流原理，被認為是優(yōu)化椒酒低溫測量鉑電阻性能的有效低成本方法。
6.葉片尖端過度填充和底部填充：
所有椒酒低溫測量鉑電阻尖端切口，特別是整個椒酒低溫測量鉑電阻直徑的維護切口會產生鈍葉片尖端和液壓干擾。通過過度填充或底部填充來修改鈍葉片尖端可以減少這些干擾。通過逐漸變細和混合去除金屬的區(qū)域顯示為“L”。長度“L”的準則值是椒酒低溫測量鉑電阻半徑R的30％。葉片尖端的寬度或厚度將減小到其先前鈍邊緣寬度的大約50％，并且金屬被移除以便在不形成臺階或脊的情況下混合。為了不損害強度和抗腐蝕性，即使是“尖銳”的尖端也不應薄于8毫米。
“底部填充”是用于從葉椒酒低溫測量鉑電阻片的后緣去除金屬的術語。因此，在最佳效率點（BEP）附近可以獲得大約4％的額外頭部，并且HQ曲線稍微向右移動。換句話說，液體通道略微增大，熱電阻性能有所提高。
我們選擇了半開式椒酒低溫測量鉑電阻，僅為了便于說明。應該注意的是，通常在封閉熱電阻的護罩上進行扇形切除，即葉片之間的無支撐材料的去除。這種扇形減少了共振和疲勞開裂風險。
我們學到了什么：
做正確的事情將包括不允椒酒低溫測量鉑電阻技術的捷徑：
①觀察間隙“A”和“B”并進行傾斜椒酒低溫測量鉑電阻維護是最佳實踐。灌輸一種不妥協(xié)的心態(tài)將會在數(shù)十年內獲得豐厚回報。一流的表演者很容易達到6,8，甚至10年的平均故障間隔時間（MTBF）。
②扇形降低了裂紋形成和疲勞失效的風險。
③增強型輪廓磨損環(huán)是簡單且相對有效的性能增強劑。
④一些冷卻風扇太小而不具有任何價值，并且椒酒低溫測量鉑電阻上通常不需要冷卻風扇。
⑤讓它成為允許偏離和接受它們的做法很快就會使偏差成為“新規(guī)范”。允許偏差加起來是一個巨大的風險，它肯定會阻止植物成為最佳的表演者。
⑥當允許在上存在4個或更多個偏差時，過程椒酒低溫測量鉑電阻的早期故障是確定的。您將始終為規(guī)范偏差支付罰金。
上文主要有：上海自動化儀表股份有限公司儀表三廠技術部編輯，轉載請注明文章出處，違者必究.
2020年2月27日
